RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
引脚说明（续）
SO
12
针
EDIP
12
BGA
D5–D8,
E1–E8,
F5–F8
名字
功能
GND
地
片选输入。低电平有效的芯片选择信号，必须置位为低的总线周期
在DS12R885将被访问。
CS
DS和AS过程中必须保持在激活状态下
摩托罗拉计时，并在DS和R / W为Intel时序。总线周期发生
不主张
CS
锁存地址，但没有发生的访问。当V
CC
低于V
PF
伏，
在DS12R885禁止访问由内部禁用
CS
输入。这个动作保护
RTC数据和断电期间的RAM数据。
地址选通输入。一个正向地址选通脉冲用来解复用
总线。 AS的下降沿引起的地址要在DS12R885内锁定。该
发生在AS总线上的下一个上升沿清除地址无论
CS
is
断言。地址选通必须立即先于每次写入或读取权限。如果一个
写入或读取与执行
CS
无效状态，另一个地址选通信必须执行
之前，用一个读或写访问
CS
断言。
读/写输入。在R / W引脚有两种操作模式。当MOT引脚
连接到V
CC
摩托罗拉定时中，R / W是在一个电平，指示是否在当前
周期是读或写操作。读周期表示有高度的R / W ，而DS高。
写周期表明，当R / W为低电平时DS 。当MOT引脚连接到
GND为英特尔计时， R / W信号是低电平有效信号。在此模式中，R / W引脚
采用了类似的方式作为通用RAM的写使能信号（WE） 。数据
锁存信号的上升沿。
无连接。该引脚应保持悬空。在EDIP ，这些引脚失踪
由设计。
数据选通或读输入。 DS端子有两种操作模式取决于水平
在MOT引脚。当MOT引脚连接到V
CC
摩托罗拉总线时序被选择。在这
模式中， DS为在总线周期的后部分上的正脉冲，称为数据
频闪。在读周期期间， DS表示的时间，即DS12R885是驱动
双向总线。在写周期， DS的后沿使DS12R885锁存
写入的数据。当MOT引脚被连接到GND，英特尔总线时序被选择。 DS
标识时DS12R885驱动总线与读出的数据的时间段。在这种模式下，
DS端子采用了类似的方式作为输出使能（
OE
）信号在普通的RAM 。
13
13
C1
CS
14
14
C3
AS
15
15
C2
读/写
16, 22
2, 3, 16,
20–22
A3
北卡罗来纳州
17
17
A1
DS
10
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