飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道垂直D- MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
DS
±V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流
总功耗
漏极开路
DC值
峰值
T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
（注2 ）
条件
分钟。
65
2N7002
马克斯。
60
40
180
800
300
250
150
150
单位
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
T
英镑
T
j
笔记
存储温度范围
结温
1.安装在陶瓷基板上测量10
×
8
×
0.7 mm.
2.安装在一个印刷电路板上。
热阻
符号
R
日J-一
笔记
1.安装在陶瓷基板上测量10
×
8
×
0.7 mm.
2.安装在一个印刷电路板上。
参数
从结点到环境
条件
注1
注2
价值
430
500
单位
K / W
K / W
1995年4月
3
