FKN2L60
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DRM
V
TM
参数
Repetieive峰值断态电流
通态电压
I
V
GT
门极触发电压
（注2 ）
II
III
I
I
GT
V
GD
I
H
I
L
dv / dt的
（ dv / dt的）
C
门极触发电流
（注2 ）
门非触发电压
保持电流
闭锁电流
的临界上升率
关闭状态Voltag
临界速率的断态崛起
整流电压
（注3）
I, III
II
V
DRM
=额定，T
j
= 125°C,
指数上升
II
III
T
J
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
V
D
= 12V，我
TM
= 1A
V
D
= 12V，我
G
= 1.2I
GT
V
D
= 12V ，R
L
=20
V
D
= 12V ，R
L
=20
测试条件
V
DRM
应用的
T
C
= 25 ° C，I
TM
=3A
瞬时测量
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
500
5
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
20
1.6
1.5
1.5
1.5
5
5
5
-
10
10
10
-
-
单位
A
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
V / μs的
V / μs的
注意事项：
1.门打开
使用门极触发特性测量电路2.测量
3.临界速率的关断状态的换向电压的上升示于下表
4.外壳温度的测量是在所述的T2终端1.5毫米远离模制外壳。
V
DRM
(V)
FKN2L60
测试条件
1.结温
T
J
=125°C
对状态衰变率2
换向电流
（ di / dt的）
C
= - 0.5A / MS
3.峰值断态电压
V
D
= 400V
整流电压和电流波形
（感性负载）
电源电压
（ di / dt的）
C
主流
时间
时间
主电压
（ dv / dt的）
C
时间
V
D
象限定义的三端双向可控硅
T2正
+
(+) T2
(+) T2
第二象限
(-) I
GT
门
T1
(+) I
GT
门
T1
我象限
I
GT
-
(-) T2
(-) T2
+ I
GT
第三象限
(-) I
GT
门
T1
(+) I
GT
门
T1
第四象限
-
T2负
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年4月
