HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
V
DSS
IXFK / IXFN 44 N50
IXFK / IXFN 48 N50
I
D25
R
DS （ ON）
500 V 44 0.12
500 V 48 0.10
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
符号
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C,
脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
44N50
48N50
44N50
48N50
最大额定值
IXFK
IXFN
500
500
±20
±30
44
48
176
192
24
30
5
500
500
500
±20
±30
44
48
176
192
24
30
5
520
150
-55 ... +150
V
V
TO- 264 AA
（ IXFK ）
G
V
V
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
S
G
D
（ TAB ）
S
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
D
G
S
S
D
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
-55 ... +150
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
300
-
-
0.9/6
-
10
-
2500
3000
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
400
2
0.12
0.10
V
V
nA
A
mA
特点
国际标准封装
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
SOT - 227B miniBLOC铝
氮化物隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
非钳位感应开关（ UIS）
评级
快速内在整流器
l
l
l
l
l
l
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
l
l
l
l
l
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
44N50
48N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
l
l
l
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
93001I (07/00)
C1 - 184
版权所有2000 IXYS所有权利。
