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2005年6月
修订版0.4
SDRAM启用和禁用时报
V
M
= 1.5V
V
X
= V
OL
+0.3V
V
Y
= V
OH
-0.3V
V
OH
和V
OL们
随着输出负载所发生的典型输出电压降
ASM2I2310ANZ
V
I
OE输入
GND
V
M
V
DD
t
PLZ
V
DD
产量
低到关
截止到低
V
OL
t
PHZ
V
DD
产量
高到关
断到高
V
SS
输出
启用
输出
残
t
PZL
V
M
V
X
t
PZH
V
Y
V
M
输出
启用
图2.三态启用和禁用时间
测试电路IIC上升和下降时间
V
O
= 3.3V
R
L
= 1k
DUT
C
L
= 10pF的或
C
L
= 400pF时
GND
图3.测试电路IIC
3.3V的SDRAM缓冲区用于移动PC与4 SO- DIMM内存模块
注意：本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
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