HiPerFET
TM
功率MOSFET
ISOPLUS247
TM
（电隔离背面）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
50/60赫兹， RMS
吨= 1分钟引出至标签
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
V
DSS
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
I
D25
R
DS （ ON）
0.16
W
0.15
W
500 V
29 A
500 V
30 A
t
rr
250纳秒
最大额定值
500
500
±20
±30
30N50
32N50
30N50
32N50
30N50
32N50
30
120
30
1.5
45
5
310
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
6
V
V
V
V
A
A
A
J
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
g
ISOPLUS 247
TM
E 153432
G
D
孤立的背面*
G =门
S =源
*专利申请中
D =漏
特点
对直接铜键合硅芯片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
低漏片电容（ <50pF ）
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
快速内在整流器
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
30N50
32N50
100
1
0.16
0.15
V
V
nA
mA
mA
W
W
优势
易于组装
节省空间
高功率密度
98608B (7/00)
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
注意事项1， 2
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
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