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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
储税券
ADDRESSES AMSS - 0
TAAS
BES ＃
TBES
TBLZS
OE ＃
TOLZS
瑞银＃ ，LBS ＃
TBYLZS
DQ15-0
注： WE＃保持高电平（VIH ）的读周期
AMSS =最重要的SRAM地址
tOHS
TBHZS
脚趾
TOHZS
TBYES
TBYHZS
数据有效
520 ILL F21.0
图3： SRAM
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
TWCS
ADDRESSES AMSS - 0
TASTS
TWPS
TWRS
WE＃
TAWS
TBWS
BES ＃
TBYWS
瑞银＃ ，LBS ＃
TODWS
DQ15-8 ， DQ7-0
注2
托斯
TDSS
TDHS
注2
有效的数据在
520 ILL F27.1
注：1.如果OE ＃为高电平期间写周期，输出将保持在高阻抗。
2.如果BES ＃变低重合或之后WE＃变为低电平时，输出将保持在高阻抗。
如果BES ＃变高重合或之前WE＃为高电平时，输出将保持在高阻抗。
由于DIN信号可以是在此时的输出状态，相反极性的输入信号不能被应用。
图4： SRAM W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
（ WE＃
ONTROLLED
)
1
2001硅存储技术公司
S71171-05-000 8/01
520
12
