位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第609页 > SN74LVC2G80DCUR > SN74LVC2G80DCUR PDF资料 > SN74LVC2G80DCUR PDF资料3第1页
SN74LVC2G80
双上升沿触发的D型触发器
www.ti.com
SCES309C - 2001年12月 - 修订2005年6月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.2 ns的电压为3.3 V
低功耗， 10 μA最大I
CC
典型的V
OLP
（输出地弹跳）
< 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C
典型的V
OHV
（输出V
OH
冲）
> 2 V在V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25°C
I
关闭
功能支持部分掉电
模式操作
闭锁性能超过100mA的
每JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DCT或DCU包装
（ TOP VIEW ）
1CLK
1D
2Q
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Q
2D
2CLK
YEP或YZP包装
（底视图）
GND
2Q
1D
1CLK
4 5
3 6
2 7
1 8
2CLK
2D
1Q
V
CC
描述/订购信息
这种双正边沿触发的D型触发器设计为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
当在数据的数据（D）输入是否满足建立时间要求，该数据被转移到在Q输出
正向的时钟脉冲的边沿。时钟触发发生在电压电平，并且不直接相关的
上升在时钟脉冲的时间。以下，保持时间间隔，在D输入的数据可以在不影响被改变
水平的输出。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
(1)
(2)
订购型号
SN74LVC2G80YEPR
磁带和卷轴
SN74LVC2G80YZPR
磁带和卷轴
磁带和卷轴
SN74LVC2G80DCTR
SN74LVC2G80DCUR
C80_ _ _
C80_
_ _CX_
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2005德州仪器
