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咨询
2001年5月
TDAT042G5设备咨询
对于版本的设备1和1A
封装和引脚（ P）
（续）
P4 。功耗
目前估计TDAT042G5的最坏情况下的功耗为7.5 W.最低和最高
功率耗散被列在表9中，以及在相对的封装的热特性。
表9.功耗和相对封装热特性
参数
功耗：
最低
最大
热性能
（ JEDEC标准
条件） *
相关因素
模具和外壳之间
温度
符号
P
D
STS - 3 / STM - 1线路速率
STS-12 / STM-4和STS- 48 /
STM- 16线路速率
JEDEC标准4层电路板：
I
标准自然对流
I
200 LFPM气流
I
800 LFPM气流
JEDEC标准4层电路板：
I
标准自然对流
I
200 LFPM气流
I
800 LFPM气流
—
—
3
6
—
—
W
W
测试条件
民
典型值
最大
单位
θ
JA
—
—
—
—
—
—
9
6.5
5
0.3
0.4
0.5
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
ψ
JC
*
θ
JA
= (T
J
– T
A
)/P
D
: T
J
=结温，T
A
介质的周围的包P =环境温度
D
=电能消耗
通过该设备。
ψ
JC
= (T
J
– T
C
)/P
D
: T
J
=结温，T
C
=封装温度（顶部，止点） ，P
D
=电能的装置散发的热量。
TDAT042G5的最高结温为125°C 。因此，在自然情况下，最高温度
对流条件必须小于约50 ℃，并且在此情况下，一个外部散热器是必需的。
参考文献：
杰夫·韦斯，
600 LBGA热测试报告，
1999年2月25日。
HL250C 3.3伏0.25
米CMOS标准单元库
（ MN98-060ASIC -02 ） ， 2-2和2-3页。
解决方法
外部散热片是必需的。
纠正措施
功耗将在该设备的未来版本中得到解决。
杰尔系统公司
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