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P L I M I N A R
表7.系统接口字符串
地址（ X8 ）
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
数据
27h
36h
00h
00h
04h
00h
0Ah
00h
05h
00h
04h
00h
V
CC
分钟。 （写入/擦除）
D7 - D4 ：伏， D3 - D0 ： 100毫伏
V
CC
马克斯。 （写入/擦除）
D7 - D4 ：伏， D3 - D0 ： 100毫伏
V
PP
分钟。电压（ 00H =无V
PP
输入存在）
V
PP
马克斯。电压（ 00H =无V
PP
输入存在）
每单字节写入2个典型的超时
N
s
典型的超时最小。大小缓冲区写2
N
S（ 00H =不支持）
每个单独的块擦除2典型的超时
N
ms
典型的超时整片擦除2
N
MS （ 00H =不支持）
马克斯。超时字节写2
N
时代典型
马克斯。超时缓冲区写2
N
时代典型
马克斯。每个单独的块擦除2超时
N
时代典型
马克斯。超时整片擦除2
N
时代典型（ 00H =不支持）
描述
表8 。
地址（ X8 ）
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh
2Fh
30h
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h
38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
数据
17h
00h
00h
00h
00h
01h
7Fh
00h
00h
01h
00h
00h
00h
00h
00h
00h
00h
00h
00h
00h
00h
00h
设备几何定义
描述
器件尺寸= 2
N
字节
闪存设备接口说明（参考CFI出版100 ）
马克斯。在多字节写的字节数= 2的
N
（ 00H =不支持）
擦除块区域内的设备数
擦除块区域1信息
（参考CFI的规范或CFI出版物100）
擦除块的区域2信息（参见CFI出版100 ）
擦除块的区域3的信息（参见CFI出版100 ）
擦除块的区域4信息（参见CFI出版100 ）
24
Am29LV652D
2004年10月29日
