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CXK77P36E160GB / CXK77P18E160GB
初步
订购信息
产品型号
CXK77P36E160GB-4E
CXK77P36E160GB-4AE
CXK77P36E160GB-4BE
(-4F)
(-4AF)
(-4BF)
(-4G)
(-4AG)
(-4BG)
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(-4BH)
V
DD
SIZE
速度
（循环/存取时间）
4.0ns / 3.9ns
4.0ns / 3.8ns
4.0ns / 3.7ns
4.2ns / 4.2ns
4.2ns / 4.1ns
4.2ns / 4.0ns
4.3ns / 4.5ns
4.3ns / 4.4ns
4.3ns / 4.3ns
4.4ns / 4.7ns
4.0ns / 3.9ns
4.0ns / 3.8ns
4.0ns / 3.7ns
4.2ns / 4.2ns
4.2ns / 4.1ns
4.2ns / 4.0ns
4.3ns / 4.5ns
4.3ns / 4.4ns
4.3ns / 4.3ns
4.4ns / 4.7ns
3.3V
512K ×36
CXK77P36E160GB - 42E （ -42F ）
(-42G)
(-42H)
CXK77P36E160GB - 42AE （ -42AF ） （ -42AG ） （ -42AH ）
CXK77P36E160GB - 42BE （ -42BF ） （ -42BG ） （ -42BH ）
CXK77P36E160GB - 43E （ -43F ）
(-43G)
(-43H)
CXK77P36E160GB - 43AE （ -43AF ） （ -43AG ） （ -43AH ）
CXK77P36E160GB - 43BE （ -43BF ） （ -43BG ） （ -43BH ）
CXK77P36E160GB-44E
CXK77P18E160GB-4E
CXK77P18E160GB-4AE
CXK77P18E160GB-4BE
(-44F)
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(-4AG)
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(-44H)
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(-4BH)
3.3V
512K ×36
3.3V
3.3V
3.3V
512K ×36
512K ×36
1M ×18
CXK77P18E160GB - 42E （ -42F ）
(-42G)
(-42H)
CXK77P18E160GB - 42AE （ -42AF ） （ -42AG ） （ -42AH ）
CXK77P18E160GB - 42BE （ -42BF ） （ -42BG ） （ -42BH ）
CXK77P18E160GB - 43E （ -43F ）
(-43G)
(-43H)
CXK77P18E160GB - 43AE （ -43AF ） （ -43AG ） （ -43AH ）
CXK77P18E160GB - 43BE （ -43BF ） （ -43BG ） （ -43BH ）
CXK77P18E160GB-44E
(-44F)
(-44G)
(-44H)
3.3V
1M ×18
3.3V
3.3V
1M ×18
1M ×18
注：该产品型号（ “E” ， “F” ， “G ”或“ H” ）的最后一个字符用1来区分）的修订
该设备 - 1.0版或1.1版，以及2）用于撞击装置制造设施的位置 - 富士通三重（F- MIE）或富士通东北
电子（ FTE ） 。
“E ”表示1.0版在被撞F- MIE 。
“F ”表示1.0版在颠簸FTE 。
“G ”表示1.1版本在被撞F- MIE 。
“H ”表示1.1版本在颠簸FTE 。
请参见第24页上的BGA封装标识图获取更多信息。
注意：这些设备可以在两个不同的地点晶圆厂制造 - Wafertech和台积电。请参阅BGA
包装标志24页上的图的信息有关如何制造的设备之间的区别
在两个设施。
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。此信息不转让任何许可
任何暗示或其他任何专利或其他权利。显示应用电路中，如果有的话，就是典型的例证illus-
trating的设备的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
16MB LW R-L和8MB LW R-L W / EC ，修订版1.1
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2001年3月2日
