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SONY
CXK77P36E160GB / CXK77P18E160GB
512K ×36引脚分配（顶视图）
1
A
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T
U
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DDQ
NC
NC
DQC
DQC
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DDQ
DQC
DQC
V
DDQ
DQD
DQD
V
DDQ
DQD
DQD
NC
NC
V
DDQ
2
SA
SA
(5)
SA
DQC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQD
SA
NC
(1)
TMS
3
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
SBWc
V
SS
V
REF
V
SS
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V
SS
V
SS
V
SS
M1
(3)
SA
TDI
4
NC
NC
V
DD
ZQ
SS
G
(6)
NC
NC
V
DD
K
K
SW
SA
SA
V
DD
SA
TCK
5
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
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V
SS
V
REF
V
SS
SBWa
V
SS
V
SS
V
SS
M2
(4)
SA
TDO
6
SA
SA
SA
DQB
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQA
SA
NC
(1)
RSVD
(2)
初步
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
注意事项：
1.焊盘位置2T和6T是真正的无式接口。然而，它们被定义为在×18 LW SRAM的SA的地址输入端。
2.垫位置6U必须悬空。它是用于内部测试目的而使用索尼。
3.垫位置3R被定义为M1模式引脚LW的SRAM 。但是，它必须在将器件连接的“高” 。
4.垫位置5R被定义为M2的模销在该装置中。它必须连接的“高”或“低” 。当M2绑
“高”时，此装置用作常规16Mb的RL的SRAM中。当M 2是并列“低” ，这种装置的功能
作为一个纠错8Mb的R-L的SRAM 。
5.垫地点2B被定义为在16Mb的LW的SRAM的SA地址输入。然而，它的功能与常规
在该装置SA地址输入，只有当M2绑“高” 。正是在这样的设备被忽略时， M2是绑“低” 。
6.垫地点4F被定义为绿色输出使能输入在LW的SRAM 。但是，它必须在将器件连接“低” 。
16MB LW R-L和8MB LW R-L W / EC ，修订版1.1
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2001年3月2日
