复合晶体管
XN1114
PNP硅外延平面晶体管
单位：mm
对于开关/数字电路
2.8
-0.3
0.65±0.15
+0.2
+0.25
1.5
-0.05
5
0.65±0.15
1
0.95
2.9
-0.05
q
q
两个元素合并到一个包中。
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
4
0.95
3
2
0.3
-0.05
0.4±0.2
0.16
-0.06
+0.1
1.1
-0.1
q
UN1114
×
2元
0.8
s
元素的基本型号
+0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
0-0.1
为0.1 0.3
4 ：发射器
5 ：基地（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74A
迷你型PAKAGE （ 5针）
标记符号：
7Q
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*1
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
（小/大）
*1
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -2.5V ，R
L
= 1k
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
–30%
0.17
80
10
0.21
+30%
0.25
–4.9
– 0.2
80
0.5
0.99
– 0.25
V
V
V
兆赫
k
民
–50
–50
– 0.1
– 0.5
– 0.2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
2个元素之间的比例
+0.1
1.45±0.1
s
特点
1
