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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲的SODIMM
速率等级时序参数
（参见注释底部与此相关的表信息）
参数
从CK / CK DQ输出访问时间
从CK / CK DQS输出访问时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
时钟周期，CL = X
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间
控制&地址输入脉冲宽度为每个输入
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
从CK / CK DQS低阻抗时间
从CK / CK DQ低阻抗时间
DQS -DQ歪斜的DQS和相关DQ信号
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
写命令到第一个DQS闭锁过渡
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
模式寄存器设置命令周期时间
写后同步
写序言
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入建立时间
阅读序言
阅读后同步
符号
TAC
tDQSCK
总胆固醇
TCL
THP
TCK
TDH
TDS
tIPW
tDIPW
太赫兹
TLZ （ DQS ）
TLZ （DQ）
TDQSQ
TQHS
tQH
tDQSS
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
tWPST
tWPRE
TIH
TIS
tRPRE
tRPST
DDR2-533
民
-500
-450
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
3750
225
100
0.6
0.35
x
TAC分钟
2 * tACmin
x
x
THP - TQHS
WL-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
375
250
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
tWR的+ tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
200
2
2
6 - AL
x
x
x
x
x
最大
+500
+450
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
TAC最大
300
400
x
WL+0.25
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
DDR2 SDRAM
DDR2-400
民
-600
-500
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
5000
275
150
0.6
0.35
x
TAC分钟
2 * tACmin
x
x
THP - TQHS
WL-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
475
350
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
tWR的+ tRP的
10
7.5
tRFC + 10
200
2
2
6 - AL
x
x
x
x
x
最大
+600
+500
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
TAC最大
350
450
x
WL+0.25
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
单位
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ps
ps
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
ns
TCK
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
积极为1KB的页面尺寸的产品激活命令时期TRRD
积极为2KB页大小的产品激活命令时期TRRD
四激活窗口为1KB的页面尺寸产品
四激活窗口为2KB页大小的产品
CAS到CAS命令延迟
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
内部写读命令延迟
内部读取到预充电命令延迟
退出自刷新到非读命令
退出自刷新到一个读命令
出口预充电功率降低到任何非读命令
退出有功功率下降到读命令
退出有功功率下降到读命令（慢退出，下
电源）
tFAW
tFAW
TCCD
tWR的
tDAL
Twtr
tRTP
tXSNR
tXSRD
TXP
tXARD
tXARDS
修订版1.5 2005年08月
