高电压的MOSFET
N沟道，增强模式
IXTU 01N80
IXTY 01N80
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 800 V
= 100毫安
= 50
初步数据表
符号
测试条件
最大额定值
01N100
800
800
±20
±30
100
400
25
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
TO- 251 AA
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C ;吨
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度有限的最大值。牛逼
J
T
C
= 25°C
G
V
V
mA
mA
W
°C
°C
°C
°C
g
D
S
D（ TAB ）
TO- 252 AA
从案例5秒1.6毫米（以0.063 ）
300
0.8
G
S
D（ TAB ）
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
特点
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
800
2
4.5
±50
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
200
50
V
V
V
nA
A
A
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 25
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25
A
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
国际标准封装
JEDEC TO- 251 AA ， TO- 252 AA
l
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
l
l
坚固的多晶硅栅单元结构
快速开关时间
应用
l
l
l
l
电平转换
TRIGGERS
固态继电器
电流调节器
V
GS
= 10 V，I
D
= I
D25
脉冲测试，T
≤
300毫秒，占空比
≤
2 %
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