砷化镓MMIC
P
OUT
与V
D
CGY 181
________________________________________________________________________________________________________
( V
G
= -4V ， F = 1.75GHz ，P
in
= 16dBm时，脉冲具有10 ％的占空比，吨= 0.33ms ）
37
36
35
P
OUT
[ dBm的]
34
33
32
31
30
29
28
2,5
3
3,5
4
4,5
5
5,5
6
V
D
[V]
内部偏置控制电路的性能@ VD = 3V
（VTR = 0V ，脉冲具有10 ％的占空比，吨= 0.33ms ）
4,0
3,5
3,0
2,5
ID [ A]
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
-VG [V]的
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
HIGH CURRENT
中等电流
低电流
内部偏置控制电路的性能@ VD = 5V
（VTR = 0V ，脉冲具有10 ％的占空比，吨= 0.33ms ）
3,5
3,0
2,5
ID [ A]
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
-VG [V]的
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
HIGH CURRENT
中等电流
低电流
西门子股份公司。
皮克。 10/14
01.02.96
HL EH PD 21
