CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.50
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
-M
非-M
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
-M
非-M
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
-M
非-M
-M
非-M
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
P
D
-M
非-M
-M
非-M
150
200
1.76
2.67
毫瓦/°C的
mW
60
90
6
1.5
3.0
120
135
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
V
F
-M
非-M
非-M
-M
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
1
50
20
V
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
所有
1.35
1.15
50
18
0.001
10
A
1.65
1.50
pF
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
8
20
10
2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
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