3.1
OMY140 - OMY440
电气特性：
静态P / N OMY140
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅压漏
当前
I
D（上）
导通状态漏极
电压
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
当前
1
14
0.1
0.2
2.0
100
T
C
= 25° ，除非另有说明
电气特性：
静态P / N OMY240
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅压漏
当前
I
D（上）
导通状态漏极
电压
1
当前
1
14
1.8
0.1
0.2
2.0
200
T
C
= 25° ，除非另有说明
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
4.0
100
-100
0.25
1.0
V
nA
nA
mA
mA
A
1.40 1.73
.115
.20
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A,
T
C
= 125 C
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
4.0
100
- 100
0.25
1.0
V
nA
nA
mA
mA
A
2.1
0.21
0.40
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A,
T
C
= 125 C
V
DS （ ON）
静态漏源导通状态
V
DS （ ON）
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
转发Transductance
1
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
10
1275
550
160
16
19
42
24
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 15 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V，I
D
@5
A
R
g
= 5
W
, V
GS
=10 V
管（MOSFET ）的开关时间是
基本上是独立的
工作温度。
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
转发Transductance
1
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
6.0
1000
250
100
17
52
36
30
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 10 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 75 V，I
D
@
18 A
R
g
=5
W
, V
GS
= 10 V
管（MOSFET ）的开关时间是
基本上是独立的
工作温度。
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
源出电流
1
（体二极管）
二极管正向
电压
1
200
- 2.0
V
ns
反向恢复时间
- 108
A
- 27
A
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
S
连续源电流
（体二极管）
源出电流
1
（体二极管）
二极管正向
电压
1
350
- 18
- 72
-1.5
A
A
V
ns
T
C
= 25℃ ，我
S
= -24 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
V
SD
t
rr
反向恢复时间
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
(W )
(W )
3.1 - 6
动态
动态
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
S
T
C
= 25℃ ，我
S
= -18 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
