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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括编程数据
到设备和擦除的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
该器件具有一个
解锁绕道
模式，以方便更快速的编程。
一旦银行进入解锁旁路模式，只有两个写周期需要
编程而不是四个单词。在“ Word程序命令序列”
有部分使用了标准的编程数据的详细信息到设备，
解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个扇区或整个设备。
表4
表示该组中的每个扇区所占用的地址空间。 “银行AD-
衣服“是一组所需的唯一选择一个存储单元地址的比特。同样，一个
“扇区地址”指的是需要唯一地选择一个扇区的地址位。
“命令定义”部分，对擦除扇区或整个细节
芯片，或悬浮/恢复的擦除操作。
I
CC2
在DC特性表代表了有功电流规范
写入模式。看到时机规格表和时序图
复位写操作。
加快程序运行
该设备通过ACC功能提供加速方案业务。这
功能的主要目的是允许更快的生产量在
工厂。
如果系统断言V
HH
该引脚上时，设备会自动进入afore-
上述解锁旁路模式，暂时取消保护所有受保护的行业，
并使用该管脚上的高电压，以减少所需的程序的时间
操作。该系统将使用两个循环的程序命令序列。
通过解锁绕道模式所需。删除V
HH
从WP ＃ / ACC引脚重
接通该设备正常运行。
需要注意的是V
HH
不能上认定
WP ＃ / ACC的操作比加速编程，或设备损坏等
可能的结果。此外， WP ＃ / ACC引脚应提高到V
CC
当不
使用。也就是说， WP ＃ / ACC引脚不能悬空，悬空; incon-
可能会导致设备的sistent行为。
自动选择功能
如果系统写入自选命令序列，器件进入非盟
toselect模式。然后，系统可以从内部看自选码
寄存器（其是分开的存储器阵列）上，DQ15 - DQ0 。标准
读周期时序适用于这种模式。请参阅安全硅行业AD-
礼服和自选命令序列的详细信息。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，它可以将设备
在待机模式下。在这种模式下，电流消耗大大减少，并
的输出被置于高阻抗状态，独立的OE＃
输入。
该器件进入CMOS待机模式时的CE＃和RESET ＃引脚
无论是在V举行
IO
± 0.3V。 （注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
，但不是在V
IO
± 0.3 V时，器件
将在待机模式下，但待机电流将更大。该装置
2004年8月12日S29PL127J_064J_032J_MCP_00_A3
S29PL127J / S29PL064J / S29PL032J的MCP
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