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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
直流特性（ 64Mb的PSRAM页面模式）
页模式
性能等级
密度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
IL
I
LO
参数
电源
输入高电平
输入低电平
输入漏
当前
输出漏
当前
VIN = 0 V
CC
OE = V
IH
or
芯片已禁用
I
OH
= -1.0毫安
V
OH
输出高
电压
I
OH
= -0.2毫安
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
= 2.0毫安
V
OL
输出低
电压
I
OL
- 0.2毫安
I
OL
- 0.5毫安
I
活跃
操作
当前
待机电流
深层动力
断电流
1/4阵列PAR
当前
1/2阵列PAR
当前
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 3.3 V
120
10
65
80
0.2 VCCQ
25
mA
V
0.8 VCCQ
V
条件
民
2.7
0.8 VCCQ
-0.2
-70
64MB PSRAM
最大
3.3
V
CC
+ 0.2
0.2 VCCQ
1
1
单位
V
V
V
A
A
I
待机
I
深
睡觉
A
A
A
A
I
PAR 1/4
I
PAR 1/2
时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
工作温度
0.1 V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
-25 ° C至+ 85°C
170
PSRAM类型1
2004年pSRAM_Type01_12_A0 6月8日，
