75元（ G）系列
日前，Vishay
半导体
最高安全评级
（符合VDE 0884 ），见图1
该设备仅用于内的最大安全评级防触电保护隔离。
此，必须通过在应用程序中使用的保护电路来保证。
INPUT （发射器）
参数
正向电流
测试条件
符号
I
si
价值
130
单位
mA
输出（检测器）
参数
功耗
测试条件
T
AMB
≤
25
°
C
符号
P
si
价值
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
价值
6
150
单位
kV
°
C
绝缘额定参数
（根据VDE 0884 ）
参数
测试条件
局部放电试验电压 - 100 ％ ，T
TEST
= 1 s
例行试验
局部放电试验电压 - 吨
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
g
g
很多试验（样品测试）
（参见图2）
绝缘电阻
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V,
T
AMB
≤
100
°
C
V
IO
= 500 V,
T
AMB
≤
150
°
C
（仅适用于建筑试验）
275
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
95 10923
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
W
W
W
VIOTM
V
T1，T2 = 1至10秒
T3，T4 = 1秒
TTEST = 10秒
tstres = 12秒
VPD
VIOWM
VIORM
P
si
（ mW）的
I
si
（MA ）
0
T3 T4 TTEST
t1
TTR = 60秒
t2
tstres
t
25
50
75
100
125
150
175
13930
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.降额图
根据图2的测试脉冲图对样品测试
DIN VDE 0884
4 (12)
牧师A4 ， 11 -JAN- 99
