航天电子
FIFO -SOI
特点
1K ×36 ， 2K ×18 ， 4K ×9机构
与RICMOS捏造
四，绝缘体上硅
（SOI） 0.8
m
过程（L
EFF
= 0.65m)
辐射
其他
读/写周期时间
＆ {35 ns的（-55 ℃至125 ℃）
可扩展的宽度
HX6409
HX6218
HX6136
支持自由运行50 ％占空比的时钟
总剂量硬度通过1×10拉德（SIO
2
)
空，满，半满，满1/4 ， 3/4满，错误标志
中子通过硬度1×10厘米
14
-2
6
奇偶发生器/检查
动态和静态瞬态底价硬度
通过1×10
9
RAD （SI ） / S
剂量率生存能力通过1×10
11
RAD （SI ） / S
输出使能（ OE ）
对＆ LT软错误率; 1×10
无闭锁
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
各种扁平封装选项
-10
完全异步与同步
读写操作
冷门/位天
CMOS或TTL兼容的I / O
概述
该HX6409 ， HX6218 ， HX6136和高转速，低
电源，先入先出存储器与时钟读取和
写接口。该HX6409是一个4096字由9位
存储阵列中， HX6218是2048字18位
存储阵列，而HX6136是1024字36位
存储器阵列。 FIFO能够支持宽度扩大，同时
深度扩展需要使用状态的外部逻辑控制
机技术。其特点包括可编程杆
性控制，空/满标志，一季度/三季度末满
标志，一个半满标志和错误标志。
这些FIFO提供了各种各样的数据的解
缓冲的需求，包括高速数据采集，
多处理器接口和通信buffer-
ING 。这些FIFO具有单独的输入和输出端口
这是由独立的时钟控制，并且使显
良。输入端口是由一个自由运行的时钟控制
（ CKW ）和写使能引脚
ENW
。当
ENW
is
置，数据被写入到FIFO的上升沿
在CKW信号。而
ENW
保持活跃，数据是
不断地写入到每个CKW循环的FIFO中。
输出端口通过一个自由的控制以类似的方式
运行的读时钟（ CKR ）和读使能引脚（
ENR
） 。在
此外，三个FIFO已输出使能引脚（
OE
)
和主复位引脚（
MR
） 。读（ CKR ）和write
（ CKW ）时钟可连接在一起的单时钟
操作或两个时钟可以独立于运行
异步读/写应用程序。时钟频率
高达30 MHz是可以实现的，在三种配置。
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS IV （辐射在 -
敏感的CMOS ）技术是通过抗辐射
采用先进的和专有的设计，布局和
过程强化技术。该FIFO是用纤维制作
霍尼韦尔的抗辐射技术，是DE-
在辐射操作系统签订的使用环境
求。在SOI RICMOS IV过程是一个5伏， SIMOX
CMOS技术具有150埃的栅氧化层和一个最小
0.8绘制特征尺寸
m,
(0.65
m
有效栅
阵列-L
EFF
） 。其他功能还包括通过插头钨，
霍尼韦尔的专利SHARP平坦化的过程中，
和一个轻掺杂漏（LDD ）结构的改进的短
通道的可靠性。
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