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CY8C24x23A最终数据手册
3.电气规格
3.3
3.3.1
DC电气特性
DC芯片级规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ， 3.0V至3.6V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或2.4V至3.0V以及-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数
适用于5V ， 3.3V和25°C时为2.7V ，并仅作为设计参考。
表3-4 。 DC芯片级规范
符号
VDD
I
DD
电源电压
电源电流
描述
民
2.4
–
–
5
典型值
最大
5.25
8
V
mA
单位
笔记
见直流POR和LVD规范，
表格3-
18第27页。
条件是VDD = 5.0V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
MHz的系统时钟倍频器被禁用， VC1 = 1.5
兆赫， VC2 = 93.75 kHz时， VC3 = 93.75 kHz时，模拟
登录功率=关闭。
条件是VDD = 3.3V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
MHz的系统时钟倍频器被禁用， VC1 = 1.5
兆赫， VC2 = 93.75 kHz时， VC3 = 93.75 kHz时，模拟
登录功率=关闭。
条件是VDD = 3.3V ，T
A
= 25
o
C， CPU =
0.75兆赫， 48兆赫=禁用， VC1 = 0.375
兆赫， VC2 = 23.44 kHz时， VC3 = 0.09 kHz的模拟
功率=关闭。
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 3.3V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
55
o
C，模拟
功率=关闭。
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 3.3V ， 55
o
<牛逼
A
≤
85
o
C，模拟
功率=关闭。
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 3.3V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
55
o
C,
I
DD3
电源电流
–
3.3
6.0
mA
I
DD27
电源电流时， IMO = 6 MHz的使用SLIMO模式。
–
2
4
mA
I
SB
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠定时器，并
WDT 。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠定时器，并
WDT在高温下。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和外部晶振。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和外部晶体在高温下。
a
参考电压（带隙）
参考电压（带隙）
–
3
6.5
A
I
SBH
–
4
25
A
I
SBXTL
–
4
7.5
A
模拟电源=关闭。
I
SBXTLH
–
5
26
A
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 3.3 V ， 55
o
<牛逼
A
≤
85
o
C,
模拟电源=关闭。
V
REF
V
REF27
1.28
1.16
1.30
1.30
1.33
1.33
V
V
修剪合适的VDD。 VDD > 3.0V 。
修剪合适的VDD。 VDD = 2.4V至
3.0V.
一。待机电流包括需要可靠的系统运行的所有功能（ POR ， LVD ， WDT ，休眠时间） 。这应该与具有类似功能的装置进行比较
启用。
2004年9月8日
文件编号38-12028牧师* B
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