q
使用1μF或V之间的旁路电容多电容值
IN
引脚和GND ，C 1所示的典型
应用以上。
q
在电容器中，用于设置锁存器保护的延迟时间而言，C 2所示的典型应用
前一页，用最小的接线距离延时引脚与IC的GND引脚之间的连接。
q
连接一个1μF或电容V的更多价值
OUT
和GND ，C3所示的典型应用
前一页。 （推荐值是从10μF到22μF 。）如果该合成的直流/直流转换器的工作可
是不稳定的，使用钽电容器代替陶瓷类型。
q
连接V之间的电容器
OUT
和分割点，C4中的前一页的典型应用如图所示。
C4的电容值取决于分压电阻器对输出电压的设定值。典型值为100pF电容之间
到1000pF 。
q
输出电压可以设置与分压电阻对电压的设定中，R 1和R 2中所示的典型应用
前一页。参考下式。
输出电压= V
FB
×(R1+R2)/R2
R1 + R2 = 100kΩ的建议电阻的范围。
q
锁存器保护电路的操作如下：当IC检测到的最大占空比，充电到一个
外部电容器， DELAY引脚的C2开始。而最大占空比继续和DELAY引脚的电压
达到延迟电压检测器的阈值，V
DLY
，输出“L”为EXT引脚和关闭外部功率MOSFET 。
要释放闩锁保护的操作，使该IC是待机模式， CE引脚，使其在以下方面积极
B / D版。否则，重新启动电源上。
闩锁保护的延迟时间，可以计算与C 2 ，V
DLY
和延迟引脚充电电流，I
DLY1
，如在
接下来的公式。
t=C2×V
DLY
/I
DLY1
最大占空比检测和延迟时间之前释放后有一次，充电至电容停顿和延迟
引脚输出“L” 。
q
至于R1211X002A / C版本，在上图所示的值和C4 ， C5 ， R3和R4的定位是
只是一个例子的组合。这些是用于使相位补偿。如果V的尖峰噪声
OUT
可以是大的，
尖峰噪声可以被挑入V
FB
PIN码，使操作不稳定。在这种情况下，电阻器R3 ，示于
前一页的典型应用。 R3的推荐的电阻值是10kΩ至的范围内
50k的。然后，噪声电平将降低。
q
至于R1211X002B / D版， EXT引脚输出低电平，在待机模式。
q
选择功率MOSFET ，二极管，这种IC的额定值（电压，电流，功率）内的感应器。选择
功率MOSFET，具有低阈值电压依赖于输入电压，以便能够接通FET完全。
选择低V二极管
F
如肖特基型，并具有低的反向电流I
R,
并具有快速的开关速度。
当外部晶体管开关，尖峰电压可以生成所引起的电感器，因此
电容器的推荐电压耐受连接到V
OUT
是设定电压以上的电压的三倍。
该
电源电路中，使用的集成电路的性能依赖于外部元件。选择最合适的
组件的应用程序。
修订版1.10
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