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STK12C68-M
设备操作
该STK12C68 - M具有两个单独的操作模式
化：
SRAM
模式和非易失性模式。在
SRAM
模式，内存作为一个标准的快速静态
内存
。在不消失模式，数据从传送
SRAM
to
EEPROM
（该
商店
操作） ，或从
EEPROM
to
SRAM
（该
召回
操作）。在此模式下
SRAM
功能被禁止。
商店
周期可能在用户控制下通过启动
软件序列或HSB断言，并且还
自动启动，当电源电压
芯片的电平下降到低于V
开关
.
召回
操作
在上电时系统蒸发散被自动启动，并
每当电源电压电平上升到大于
V
开关
.
召回
周期也可以通过一开始
软件序列。
地址位置。依靠
读
仅循环中，
STK12C68 -M实现非易失性操作，而
其余标准8Kx8 SRAM的兼容。
在
商店
周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，接着是亲
克非挥发性元素。该方案操作
化副本
SRAM
数据写入非易失性元素
求。一旦
商店
周期开始，还输入
输出被禁止，直到周期结束。
因为地址的序列被用于
商店
开始时，至关重要的是，没有其他的读或写AC-
正如事实介入的序列中或序列将
被中止。
以引发
商店
周期以下
读
SE-
quence必须执行：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0000 （十六进制）
1555 （十六进制）
0AAA （十六进制）
1FFF （十六进制）
10F0 （十六进制）
0F0F （十六进制）
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
商店
周期
SRAM读
该STK12C68 -M进行
读
周期时ê
和G是
低
和HSB和W为
高
。地址
引脚指定的
0-12
确定哪个8192的
数据字节将被访问。当
读
启动
通过地址转换，输出会后有效
吨的延迟
AVQV
。如果
读
由E或G，发起
输出将在t有效
ELQV
或者在t
GLQV
为准
后来。数据输出将反复回应
内的T地址变更
AVQV
无需访问时间
需要进行任何控制输入引脚的转换，并
将继续有效，直到另一个地址变更，或直至
E或G被带到
高
或W或HSB被带到
低
.
SRAM写
写周期完成时E和W分别
低
和HSB高
。地址输入必须稳定之前
在进入
写
周期，必须保持稳定
直到东或者西去
高
在周期的末端。该
引脚DQ数据
0-7
将被写入，如果它的存储器
有效吨
DVWH
在W的端部控制的前
写
或T
DVEH
一个E年底前控制
写
.
建议使得G保持
高
在整个过程中
写
周期，以避免对数据总线争用
通用I / O线。若G是左
低
，内部电路会
关闭输出缓冲器吨
WLQZ
后W去
低
.
一旦该序列中的第六个地址已
输入，则
商店
周期将开始和芯片
将被禁用。重要的是
读
周期
不
写
个周期的序列中被使用，虽然它
没有必要使G是
低
对于序列是
有效的。之后的T
商店
周期已经满足，
SRAM
将再次进行激活
读
和
写
操作。
软件RECALL
A
召回
的周期
EEPROM
数据插入到
SRAM
is
同的顺序启动
读
在行动
以类似于
商店
起始。要启动
召回
循环的下列序列
读
操作
业必须被执行：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0000(hex)
1555 （十六进制）
0AAA （十六进制）
1FFF （十六进制）
10F0 （十六进制）
0F0E （十六进制）
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
召回
周期
软件
商店
该STK12C68 -M软件
商店
周期是由发起
执行顺序
读
来自六个特定周期
在内部，
召回
是一个两步骤的过程。首先，将
SRAM的数据被清除，并且第二非易失性
信息被传输至电
SRAM
细胞。该
召回
在没有办法改变操作中的数据
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