FSYA150D ， FSYA150R
数据表
1999年1月
网络文件编号
4648
抗辐射，抗SEGR
N沟道功率MOSFET
Intersil公司的分立产品经营已开发出
系列抗辐射的MOSFET具体来说的
专为商业和军事空间应用。
增强型功率MOSFET的抗单粒子效应
（ SEE） ，单粒子栅穿（ SEGR ） ，特别是
结合100K RADS总剂量的硬度，以提供
它非常适合于恶劣的太空设备
环境。剂量率和中子公差
必要的军事应用还没有得到的牺牲网络土木工程署。
的耐SEGR辐射Intersil的产品组合硬化
包括MOSFET的N沟道和P沟道的设备
各种电压，电流和导通电阻的评分。
众多的包装选项也可用。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
的垂直DMOS音响场效晶体管（ VDMOS ）
结构。它是专门设计和加工成
耐辐射。 MOSFET被非常适用于
暴露于辐射的环境中，例如应用
开关调节，开关转换器，电动机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
可靠性筛选可以作为任何商业，热力膨胀阀
MIL-S- 19500 ，或空间等效的等效
MIL -S - 19500 。联系Intersil公司的任何期望偏差
从数据表。
特点
39A ， 100V ，R
DS （ ON）
= 0.055
总剂量
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD （SI ）
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
同
V
DS
高达80％的额定击穿和
V
GS
10V关偏置的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司（SI ） / s的80 ％ BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
DM
光电流
- 7.0nA每- RAD （SI ） / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于3E13中子/平方厘米
2
- 可用来3E14中子/平方厘米
2
符号
D
G
S
包装
SMD-1
订购信息
RAD LEVEL
10K
10K
100K
100K
100K
筛选LEVEL
广告
TXV
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TXV
空间
零件编号/ BRAND
FSYA150D1
FSYA150D3
FSYA150R1
FSYA150R3
FSYA150R4
以前作为类型TA17656 。
4-1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
Intersil公司1999
