MMUN2111LT1系列
典型电气特性
MMUN2111LT1
250
PD ，功耗（毫瓦）
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
IC / IB = 10
TA = -25°C
75°C
0.1
200
25°C
150
100
R
θJA
= 625 ° C / W
50
0
–50
0
50
100
150
0.01
0
20
40
60
80
IC ，集电极电流（毫安）
TA ，环境温度（ ° C）
图1.降额曲线
图2的VCE （饱和）与集成电路
4
VCE = 10 V
3
F = 1 MHz的
LE = 0 V
TA = 25°C
1000
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
100
TA = 75℃
25°C
–25°C
COB，电容（pF ）
100
2
1
10
1
10
IC ，集电极电流（毫安）
0
0
10
20
30
40
VR ，反向偏置电压（伏）
50
图3.直流电流增益
图4.输出电容
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
25°C
TA = -25°C
100
VO = 0.2 V
输入电压，输入电压（伏）
1
10
TA = -25°C
25°C
75°C
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
VO = 5 V
3
4
5
6
7
输入电压，输入电压（伏）
8
9
10
0.1
0
10
20
30
IC ，集电极电流（毫安）
40
50
图5.输出电流与输入电压
图6.输入电压与输出电流
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
