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R1LP0408C -C系列
4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
REJ03C0077-0200Z
修订版2.00
May.26.2004
描述
该R1LP0408C - C是4兆位静态RAM举办512千字
×
8位。 R1LP0408C -C系列有
通过采用CMOS工艺实现的更高密度，更高的性能和低功耗
技术（ 6晶体管存储单元） 。该R1LP0408C -C系列提供了低功耗待机功耗
散热;因此，它适合于电池备份系统。它采用32引脚SOP ， 32引脚封装
TSOP II 。
特点
采用5 V单电源： 5 V
±
10%
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗：
主动： 10毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 4
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
直接TTL兼容。
所有输入和输出
电池备份操作。
工作温度：
20
至+ 70°C
Rev.2.00 ， May.26.2004 ，第12页1
