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A81L801
时序波形（续）
写周期2
（芯片使能控制）
t
WC
地址
t
AW
t
CW5
t
WR3
CE_S
t
AS1
(4)
t
CW5
WE
t
DW
t
DH
DIN
t
WHZ7
DOUT
注：1。吨
AS
从地址有效到写的开始测量的。
2.在重叠（ T A写操作
WP
）低
CE_S
和低WE 。
3. t
WR
从最早的测量
CE_S
或WE变为高电平变为低电平的写周期的结束。
4.如果
该
CE_S
低
过渡
OCCURS
同时
同
该
WE
低
过渡
or
后
在WE过渡，输出将保持在高阻抗状态。
5. t
CW
从后来的测量
CE_S
变低变高来写的结尾。
6. OE连续低。 （ OE = V
IL
)
7.转换测量
±
为500mV从稳定状态。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
初步
（ 2005年3月，版本0.0 ）
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