A81L801
表1.1设备总线操作，闪字模式
BYTE_F
= V
IH
手术
（注1,2 ）
从Flash中读取
待机
输出禁用
写FLASH （编程/擦除）
部门保护
部门撤消
临时机构unprotection的
闪存复位（硬件） /待机
引导块扇区写保护
L
H
L
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
X
H
H
H
L
X
X
X
L
X
X
X
H
X
H
L
A
IN
X
X
A
IN
扇区地址，
A6 = L时， A 1 = H， A 0 = L
扇区地址，
A6 = L时， A 1 = H， A 0 = L
A
IN
X
X
H
H
H
H
H
H
V
ID
L
X
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
高-Z
X
D
OUT
从SRAM读
H
L
L
H
A
IN
H
高-Z
D
OUT
D
IN
写入SRAM
H
L
H
L
A
IN
H
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
X
X
X
高-Z
X
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
高-Z
CE_F
CE_S
OE
WE
A0-A18
RESET
I / O
7
-I / O
0
I / O
15
-I / O
8
图例：
L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 11.5-12.5V,
=脉冲输入， X =无所谓，D
IN
=数据输入，D
OUT
=数据输出
注意事项：
除了那些在此列中显示1.其他操作都被禁止。
2.不适用
CE_F
= V
IL
,
CE_S
= V
IL
同时。
初步
（ 2005年3月，版本0.0 ）
9
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