2SK3391
硅N沟道MOS FET
UHF功率放大器
REJ03G0209-0200Z
（上ADE - 208-847 （ Z） ）
Rev.2.00
Apr.14.2004
特点
高输出功率，高增益，高效率
PG = 18 dB时，噘= 1.6 W，
ηadd
= 58 ％以上。 （ F = 836兆赫）
可表面贴装的小型封装
概要
UPAK
D
3
1
G
3
2
1
4
2,4
S
1.门
2.源
3.排水
4.源
注意：
标记为“剑侠情缘” 。
此设备是静电放电敏感。适当的处理程序要求。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
＆ LT ;
1秒，总胆固醇
＆ LT ;
150°C
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
17
±10
0.3
0.75
5
150
-45至+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00 ， Apr.14.2004 ，第1页4
