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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
时序图（属性）
读周期
Tcrr
An
V
IH
V
IL
V
IH
CE＃
V
IL
t
a(A)
R
TA （ CE ）R
t
V
（ A）R
10 （ CE ）R
V
IH
OE ＃
V
IL
10 （ OE ）R
TA （ OE ）R
t
DIS
（ CE ）R
TDIS （ OE ）R
V
OH
Dm
(D
OUT
) V
OL
WE＃ =“ H”电平
REG ＃ =“ L”电平
高阻
输出有效
注5 ：测试条件
输入脉冲电平
: V
IL
=0.4V, V
IH
=4.0V
输入脉冲上升，下降时间： TR = TF = 10ns的
参考电压
输入
: V
IL
=0.8V, V
IH
=3.5V
产量
: V
OL
=0.8V, V
OH
=3.0V
（ 10和TDIS是当输出电压为± 500mV的自稳态测量。 ）
负载
： 100pF电容+ 1 TTL门
为5pF + 1 TTL门（在10和TDIS测量）
6:
表示不关心输入
7 ：写作是在CE ＃重叠执行， WE＃为“L ”的水平。 （仅适用于普通内存）
8 ：不要将倒相的信号外，当DM引脚处于输出模式。
9 ： CE＃被表示为如下：
读取/写入： CE ＃ = ＃ CE1 CE2 = ＃
阅读B /写B： CE ＃ = ＃ CE1 ， CE2 ＃ = “ H”级
读取C /写入C ： CE ＃ = CE2 ＃ ， CE1 ＃ = “ H”级
三菱
电
10/14
1999年4月修订版1.2
