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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
时序图
读周期
TCR
An
V
IH
V
IL
V
IH
t
a
(A)
TA （ CE）
t
V
(A)
CE＃
V
IL
10 （ CE）
t
DIS
（ CE）
TA （ OE ）
V
IH
OE ＃
V
IL
V
OH
Dm
(D
OUT
) V
OL
WE＃ =“ H”电平
REG ＃ =“ H”电平
10 （ OE ）
TDIS （ OE ）
高阻
输出有效
写周期
（ WE＃控制）
t
C
W
V
IH
An
V
IL
V
IH
CE＃
V
IL
V
IH
OE ＃
V
IL
V
IH
WE＃
V
IL
t
SU
（ OE -WE ）
Dm
(D
IN
)
V
IH
高阻
T（ D- WEH ）
日（ OE -WE ）
t
h
(D)
t
W
（WE）
t
SU
(A)
TREC （WE）
t
SU
（ A- WEH ）
t
SU
（ CE- WEH ）
V
IL
TDIS （ OE ）
DATA INPUT稳定
t
DIS
（WE）
t
en
（ OE）的
高阻
t
en
（WE）
Dm
(D
OUT
) V
OL
V
OH
REG ＃ =“ H”电平
三菱
电
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1999年4月修订版1.2
