FSPYE234R ， FSPYE234F
TM
数据表
2000年6月
网络文件编号
4873
抗辐射，抗SEGR
N沟道功率MOSFET
Intersil的星*电源抗辐射
MOSFET的过具体来说
对于高性能开发
在商业应用中，或
军事空间环境。
星*功率MOSFET提供系统设计者既
非常低R
DS （ ON）
和栅极电荷使
开发低损耗电源子系统组成。星*电源
场效应管结合起来电气性能与总剂量
辐射硬度可达300K拉德同时保持
保证性能的单粒子效应（ SEE ）
这Intersil的FS系列一直的特色。
星*功率FET的Intersil的产品系列包括一个家庭
设备在不同的电压，电流和封装类型。该
星*电源系列包括星*电源和星*电源的
黄金产品。星*功率场效应管是总剂量优化
和R
DS （ ON）
性能的同时，表现出SEE能力在
全额定电压的37星*功率场效应管金的LET
已经经过优化， SEE和栅极电荷提供
请参阅性能80％的额定电压为的LET
82具有极低的栅极电荷特征。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
垂直DMOS科幻场效晶体管（ VDMOS ）
结构。据具体来说设计和加工成
耐辐射。 MOSFET被非常适用于
暴露于辐射的环境中，例如应用
开关调节，开关转换器，电源
分布，马达驱动器和继电器驱动器以及其它
功率控制和调节应用。如同
传统MOSFET，这些抗辐射
的MOSFET提供了方便的电压控制，快速切换
速度与能力并行开关器件。
可靠性筛选可作为无论是热力膨胀阀或空间
相当于MIL -S - 19500的。
以前作为类型TA45216W 。
特点
9A ， 250V ，R
DS （ ON）
= 0.215
额定UIS
总剂量
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD （SI ）
- 额定为300K RAD （SI ）
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
同
V
DS
额定击穿的高达100％ ，并
V
GS
10V关偏置的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司（SI ） / s的80 ％ BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
AS
光电流
- 4.0nA每- RAD （SI ） / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于1E13中子/平方厘米
2
- 可用来1E14中子/平方厘米
2
符号
D
G
S
包装
SMD.5
订购信息
RAD LEVEL
10K
100K
100K
300K
300K
筛选LEVEL零件编号/ BRAND
工程样品FSPYE234D1
TXV
空间
TXV
空间
FSPYE234R3
FSPYE234R4
FSPYE234F3
FSPYE234F4
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
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版权
Intersil公司2000
