飞利浦半导体
产品speci fi cation
单路2输入与非门
特点
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
CMOS低功耗
闭锁性能超过250毫安
直接接口与TTL电平
输入接收电压高达5 V
多种封装选择
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
输入A，B为输出Y.
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个缓冲区V电源耗散电容
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G00
该74LVC1G00是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。
这些特性允许使用这些设备中的混合
3.3 V和5 V环境。
在所有输入施密特触发器动作使电路宽容
对于输入速度较慢的上升和下降时间。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G00提供单2输入与非
功能。
典型
3.3
2.2
2.8
2.2
1.8
5
14
单位
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
2004年9月07
2
