SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
第2期 - 1995年2月
7
特点
*高增益，低饱和电压
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
BCX69
BCX68
= CE
BCX68-16 - CC
BCX68-25 - CD
BCX68
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
25
20
5
2
1
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
50
85
60
BCX68-16 100
BCX68-25 160
f
T
C
敖包
100
25
h
FE
分钟。
25
20
5
0.1
10
10
0.5
1.0
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
A
A
A
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
=10mA
I
E
=100A
V
CB
=25V
V
CB
= 25V ，T
a
=150°C
V
EB
=5V
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
兆赫
pF
= 5毫安，V
CE
=10V
= 500毫安，V
CE
=1V
= 1A ，V
CE
=1V*
= 500毫安，V
CE
=1V*
= 500毫安，V
CE
=1V
375
250
250
400
跃迁频率
输出电容
I
C
= 100mA时V
CE
=5V,
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT449数据表。
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