ZXMN6A11DN8
60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
= 0.14
描述
I
D
= 2.7A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
低调SO8封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
器件标识
ZXMN
6A11D
顶视图
第1期 - 2002年3月
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