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茂矽
DC电气特性
（在所有温度范围内，V
CC
= 5V
±
10%)
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
V61C518256
参数
输入低电压
(1,2)
输入高电压
(1)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
分钟。
-0.5
2.2
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.8
6
5
5
0.4
—
单位
V
V
m
A
m
A
V
V
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
V
CC
=最小，我
OL
= 8毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -4mA
-5
-5
—
2.4
符号
I
CC1
I
SB
I
SB1
参数
平均工作电流， CE
V
IL
输出开路，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
TTL待机电流
CE
V
IH
, V
CC
=最大。
CMOS待机电流， CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V或V
IN
0.2V, V
CC
=最大。
COM 。
(4)
110
IND 。
130
单位
mA
25
40
mA
1
2
mA
注意事项：
1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
2. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
3. f
最大
= 1/t
RC
.
4.最大的值。
V61C518256 0.3修订版1998年7月
4
