KM41C4000D ， KM41V4000D
笔记
CMOS DRAM
1. 200us的初始暂停后开机后跟任意8需要RAS只刷新或CAS先于RAS的刷新周期
前器件正常工作的实现。
2. V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），是参考电平，用于测量输入信号的定时。转换时间的测量
V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），并且被假定为5ns的所有输入。
3.测量与相当于2的TTL （5V ）/ 1的TTL （3.3V ）的负载和100pF的负载。
内4.操作
t
RCD
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大值）可以得到满足。
t
RCD
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。
If
t
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大值）的限度，则存取时间完全由控制
t
CAC
.
5.假设条件
t
RCD
≥
t
RCD
（最大值）。
6.该参数定义在该输出达到开路状态，不参考V的时间
oh
或V
ol
.
7.
t
WCS
,
t
RWD
,
t
CWD
,
t
AWD
和
t
CPWD
都是非限制性的操作参数。它们被包括在数据表中作为电
特点而已。如果
t
WCS
≥
t
WCS
（分钟） ，则该循环是一个早期的写周期的数据输出将保持为高阻抗
该周期的持续时间。如果
t
CWD
≥
t
CWD
（ MIN）
t
RWD
≥
t
RWD
（ MIN）
t
AWD
≥
t
AWD
（分钟）和
t
CPWD
≥
t
CPWD
（分钟），则周期是一个
读 - 修改 - 写周期和输出的数据将包含从所选择的地址读取数据。如果既没有上述CON-的
ditions被满足时，所述数据输出的状态是不确定的。
8.无论是
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
9.这些参数是参照在早期的写周期CAS下降沿至W在读 - 修改 - 写周期的下降沿。
内10.操作
t
拉德
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大值）可以得到满足。
t
拉德
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。
If
t
拉德
大于指定的
t
拉德
（最大值）的限度，则存取时间由控
t
AA
.
11.这些specifiecations被施加在测试模式下。
12.在测试模式下读周期中，该值
t
RAC
,
t
AA
,
t
CAC
通过2ns的延迟为5ns为指定的值。这些参数
应在测试模式下的周期中加入上述价值为指定的值在此数据表中指定。
13.
t
关（ MAX）的
限定在其输出达到开路状态并且没有被引用到输出电压的时间
的水平。
14.如果
t
RASS
≥100us,
然后RAS预充电时间一定要用
t
RPS
而不是
t
RP
.
15. RAS-只刷新和突发CAS先于RAS的刷新模式，刷新爆1024 （ 1K ）周期内必须执行
16毫秒之前和自刷新后，为了满足刷新规范。
16.对于分布式CAS先于RAS与15.6us的时间间隔， CAS先于RAS刷新应在15.6us被立即执行
ately之前和以满足刷新规范自刷新之后。
