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AD5241/AD5242
针除了
SHDN
脚反应活性较低。在后续
荷兰国际集团的两位分别为O
2
和O-
1
。它们是额外的可编程
逻辑输出，用户可以用它来驱动其他的数字负载，
逻辑门电路，LED驱动器，模拟开关等。该
三个LSB都不在乎。参见图2 。
3.确认指令字节，在最后一个字节后
写模式是数据字节，帧3.数据传输
过在9个时钟脉冲序列中的串行总线（ 8
数据位跟随一个应答位） 。过渡
在SDA必须发生在SCL为低电平周期线
并在高电平期间的SCL的（图2）保持稳定。
4.不同的是写模式时，数据字节紧跟
从地址字节在读的确认后，
模式，帧2的数据被传输的串行总线
在9个时钟脉冲的序列（比稍有不同
写模式中，有8个数据位之后是否
承认在阅读模式逻辑1位） 。类似地，跃迁
必须发生在SDA线上系统蒸发散在的低潮期
SCL和在SCL为高电平期间保持稳定。看
网络连接gure 3 。
5.当所有数据位被读或写，一个停止条件
化由主确定。 STOP条件是
德网络定义为SDA线上，而由低到高的转变
SCL为高电平。在写模式下，主会拉SDA线
在第十个时钟脉冲高建立一个STOP CON-
条件（参见图2） 。在读取模式下，主机将发出
没有确认的第九个时钟脉冲（即SDA
线保持高电平） 。主人就会把SDA
第十个时钟脉冲，它变高之前线低
建立一个停止条件（见图3） 。
重复的写入功能为用户提供了灵活性以更新
RDAC输出的次数寻址和instruct-后
荷兰国际集团的一部分，只有一次。在写周期中，每一个数据字节
将更新的RDAC输出。例如，后RDAC
已经承认其从地址，指令字节，
RDAC输出将被更新。如果另一个字节写入
RDAC ，同时它仍然给特定的从设备与
相同的指令，该字节将更新的输出
选择从设备。如果需要不同的指令，所述
写入模式具有以启动一个全新的序列用一个新的从机
地址，指令和数据字节再次传送。西米
larly的RDAC的重复读取功能也是允许的。
回读RDAC值
每一个设备将要写入或从独立地读出。该
主设备输出总线驱动器是开漏上拉
在我完全落
2
IC兼容接口。注意，设备将
寻址正确只有当AD0的比特信息和
AD1在从地址字节的逻辑输入匹配
引脚AD0该特定设备和AD1 。
5V
R
P
主
SDA ，SCL
AD1
AD0
V
DD
SDA ，SCL
AD1
AD0
V
DD
SDA ，SCL
AD1
AD0
V
DD
SDA ，SCL
AD1
AD0
R
P
SDA
SCL
AD5242
AD5242
AD5242
AD5242
在一条总线上图5.多个AD5242器件
LEVEL-移双向接口
虽然大多数旧系统可在一个电压，一个新的操作
组分可以在另一个被优化。当他们操作
相同的信号在两个不同的电压，电平触发的适当的方法
需要转移。例如，可以使用一个3.3 V é
2
舞会
接口采用5 V数字电位器。 A级移方案
是必要的，以使双向通信，以便
该数字电位器的设定可被存储到与
从E检索
2
舞会。图6示出了技之一
niques 。 M1和M2可以是N沟道场效应晶体管2N7002或低阈值
如果FDV301N V
DD
低于2.5 V.
V
DD2
= 3.3V
R
P
SDA1
M1
SCL1
3.3V
E
2
舞会
S
M2
5V
R
P
S
G
D
G
D
SCL2
SDA2
R
P
R
P
V
DD2
= 5V
AD5242
图6.电平转换为不同的电压操作设备
V
DD
M
P
1
2
具体到AD5242双通道装置中，接口的信道
EST是以前在写模式中选择一个。
此外，为连续读取两个RDAC值，用户
要执行两个写 - 读周期。例如，用户可能
首先指定在写入模式RDAC1子地址（它不是
需要发出的数据字节和停止条件） ，则
切换到读取模式，读取RDAC1值。为了CON组
tinue阅读RDAC2值，用户必须切换回
写模式，并指定子地址，然后再切换一次
再次读取模式，读取RDAC2值。它不是
需要发出的写模式数据字节或所述第一站
条件进行此操作。用户应参考图2和图
3为编程格式。
多个设备一个总线
IN
O1
V
SS
01 DATA IN 2帧
写模式
M
N
逻辑输出图7.输出级
1
附加可编程逻辑输出
图5示出同样的串行总线上的4 AD5242器件。
每个人都有，因为他们的AD0的状态，不同的从机地址
和AD1引脚是不同的。这允许每个RDAC内
版本B
AD5241 / AD5242功能的其他可编程逻辑输出
放，哦
1
和O-
2,
可用于驱动负载的数字，模拟
开关和逻辑门。它们也可以用来作为自我CON-
tained关机的预设逻辑0的特征将是
稍后解释。
1
和O-
2
默认为逻辑0电期间。
澳逻辑状态
1
和O-
2
可在第2帧进行编程
在写模式（参见图2） 。图7示出了输出
把澳台
1
它采用大P和N沟道MOSFET
在推挽式结构。如图所示，输出将等于
V
DD
或V
SS
，而这些逻辑输出有足够的电流驱动
能够驱动负载毫安。
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