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HGTG18N120BND
典型性能曲线
40
t
dI
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 960V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
t
rI
，上升时间（ NS ）
除非另有规定编
（续）
120
R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 960V
100
80
60
40
20
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
35
30
25
20
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
T
J
= 25
o
C或T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
20
25
30
35
40
15
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
350
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 960V
250
225
t
fI
，下降时间（ NS ）
R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 960V
300
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 150
o
C
250
200
175
150
125
100
75
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
200
150
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
100
5
25
10
15
20
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
40
50
25
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
200
150
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 20V
脉冲宽度= 250μs的
20
I
G（ REF ）
= 2毫安，R
L
= 33.3, T
C
= 25
o
C
15
V
CE
= 1200V
V
CE
= 800V
100
T
C
= 25
o
C
50
T
C
= 150
o
C
0
T
C
= -55
o
C
14
15
10
V
CE
= 400V
5
6
7
9
10
11
12
13
V
GE
，门到发射极电压（ V）
8
0
0
50
100
Q
G
，栅极电荷（ NC）
150
200
图13.传输特性
图14.门充电波形
5
