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K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
页编程
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
该设备基本上是编程以页为单位，但它允许一个字节/字或连续多个部分页面编程
字节/字高达528
（ X8的设备）或
264
（ X16设备）
在单页编程周期。连续的部分页编程数
中间没有擦除操作在同一页面内明的操作不应超过2主阵列和3备用
数组。的寻址可以在任何随机顺序在一个块中完成。页面编程周期包括一个串行数据加载周期
其中，最多528个字节
（ X8设备）
或264字
（ X16设备）
数据可以被加载到页寄存器，接着非易失性亲
编程，其中加载的数据被编程到相应的细胞周期。对指针的操作，请参考
连接技术说明。
该串行数据加载期间开始通过输入串行数据输入命令（ 80h）位置，随后三周期的地址输入和
然后串行数据加载。比那些要被编程的其他词语并不需要是loaded.The页编程确认的COM
命令（ 10H ）启动编程过程。单独写10H不预先输入的串行数据不会主动亲
编程过程。内部写控制器自动执行算法和必要的计时程序，并验证，
从而释放用于其它任务的系统控制器。一旦程序处理开始时，读状态寄存器指令可以是
进入，用RE和CE低，读状态寄存器。系统控制器可以检测完成一个程序循环通过
监控中的R / B输出，或状态位的状态寄存器（ I / O 6 ） 。只有读状态命令和复位命令是
有效而编程过程中。当页面编程完成时，写状态位（I / O 0 ）可以被选中（图10）。
对于"1"s未成功编程"0"s内部写校验只能检测错误。命令寄存器保持
读状态命令模式，直到其他有效的命令被写入命令寄存器。
图10.程序操作
t
PROG
R / B
I /牛
80h
地址&数据输入
10h
70h
I / O
0
通
失败
复制回收计划
拷贝回程序被配置为内快速有效地重写在阵列内的存储在一个页的数据到另一页
相同的数组，而无需使用外部存储器。由于费时sequently读取和对其重新加载的周期是
移除时，系统的性能得以提高。这样做的好处是特别明显的，当一个块的一个部分被更新，并且其余
该块也需要被复制到新分配的空闲块。用于执行拷贝回操作是顺序execu-
中化页面读取无突发读取周期和复制方案与目标网页的地址。一个正常的读操作
与"00h"命令与源页面地址移动整个528bytes / 264words （X8设备： 528bytes ， X16
设备： 264words ）数据到内部缓冲器中。一旦Flash返回到状态，复制回就绪编程命令"8Ah"
可以与目标页面的三个地址周期给予遵守。存储在内部缓冲器中的数据然后被直接编程
到目标页面的存储器单元。一旦复制回收计划完成后，任何额外的部分页编程成
复制的页面被擦除之前禁止的。因为存储器阵列是在内部划分为两个不同的平面上，拷贝回亲
克只允许在同一个存储器平面。因而，A14，平面地址，源和目的地页面地址必须是
相同。
图11.复制回程序操作
t
R
R / B
I /牛
t
PROG
00h
Add.(3Cycles)
源地址
8Ah
Add.(3Cycles)
目标地址
70h
I / O
0
通
失败
29
