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K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
块擦除
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
擦除操作完成以块为基础。块地址加载完成由擦除设置启动两个周期的COM
命令（ 60H ） 。只有地址A
14
到A
24
有效而A
9
到A
13
被忽略。擦除确认命令（ D0H ）以下的块
地址加载启动内部擦除过程。安装程序然后执行命令这两步顺序可确保
存储器的内容不会被意外由于外部干扰条件下擦除。
在我们的擦除确认指令输入后的上升沿，内部写控制器处理擦除和擦除验证。当
擦除操作完成时，写状态位（I / O 0 ）可以被检查。图12详细描述的顺序。
图12.块擦除操作
t
别尔斯
R / B
I /牛
60h
地址输入（ 2Cycle ）
块添加。 ：一
9
~ A
24
D0h
70h
I / O
0
通
失败
阅读状态
该装置包含一个状态寄存器可被读取，以找出是否编程或擦除操作完成，并确定是否
编程或擦除操作成功完成。写入单元70h命令到命令寄存器，一个读周期后输出
状态寄存器的内容，以CE或RE的下降沿，最后以先到为准的I / O引脚。这种两线控制允许
该系统轮询中的多个存储器连接的每个器件的进展，甚至当R / B的引脚是常见的连线。 RE或CE
并不需要被切换为更新后的状态。请参考表4的具体状态寄存器的定义。命令寄存器
保持状态读取模式，直到进一步的命令是发给它。因此，如果该状态寄存器中一个随机读读
周期，读命令（ 00H或50H ）前应连续页面读周期考虑。
表4 。读状态寄存器的定义
I / O ＃
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 8 15
设备操作
写保护
不使用
保留为将来
利用
状态
编程/擦除
德网络nition
"0" ：成功的编程/擦除
"1" ：错误的编程/擦除
"0"
"0"
"0"
"0"
"0"
"0" ：忙
"0" ：保护
别护理
t
"1" ：就绪
"1" ：不受保护
30
