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MSC1211 ， MSC1212
MSC1213 ， MSC1214
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SBAS323D - 2004年6月 - 修订2005年9月
访问外部存储器
如果外部存储器被使用， P0和P2必须配置
如地址和数据线。如果不使用外部存储器， P0
和P2可以被配置为通用I / O线
通过硬件配置寄存器（ HCR0 ， HCR1 ） 。
以允许访问外部存储器，位0和1的
HCR1寄存器必须设置为“0”。当这些位
为使所有的内存访问内部和
外部存储器将出现在端口0和2。在
的周期为内部存储器的数据部分中，端口0将
零出于安全目的。
访问外部存储器有两种类型：以外部
程序存储器和外部数据存储器。访问
外部程序存储器使用的信号PSEN （程序
商店启用）作为读选通。访问外部
数据存储器使用的RD和WR （ P3.7的复用功能
和P3.6 ）来选通存储器。
如果需要，外部程序存储器和外部数据
存储器可以通过施加在RD和PSEN被组合
信号到与门的输入和使用输出
门作为读选通到外部的程序/数据
内存。
程序读取外部程序存储器使用
16位的地址。访问外部数据存储器进行
使用一个16位的地址（ MOVX @DPTR ）或8位
地址（ MOVX @R
I
).
如果端口2中选择了使用外部存储器（ HCR1 ，位0 ） ，
它不能被用作通用I / O引脚。这个位（或位
1 HCR1的）也迫使位P3.6和P3.7用于
WR和RD ，而不是I / O。端口2 ， P3.6 ， P3.7和应
所有被写入“1”。
如果一个8位的地址已经被使用（执行MOVX @R
I
），其内容
在MPAGE的（ 92H ） SFR停留在端口2引脚
整个外部存储器周期，这有利于
分页。
在任何情况下，地址的低字节是时间复用的
对端口0。 ADDR数据字节/数据信号使用
在端口0 ，端口2 ，WR和RD输出CMOS驱动器
缓冲区。因此，在该应用中，端口0是未
漏极开路输出，并且不需要外接上拉电阻的
高速接入。信号ALE （地址锁存使能）
应使用捕获的地址字节到外部
锁存器。地址字节是在负跳变有效
的ALE 。然后，在一个写周期中，将要写入的数据字节
就在WR被激活出现在端口0和遗体
在那里，直到WR后停用。在一个读周期，该
进来的数据被接受为P0口刚读前
选通脉冲被停用。
P0口和P2口的功能HCR1选择。
（硬件配置寄存器只能改变
在Flash编程模式） ，默认状态是
P0口和P2口用作通用I / O 。如果一个
外部存储器存取尝试的时候都
配置为通用I / O，端口的值0
和端口2将不会受到影响。
外部程序存储器两种情况下访问：
1.
2.
当EA信号为低电平复位时，那么所有的未来
代码和数据的访问是外部;或
当程序计数器（ PC）中含有
数字是内部程序存储器之外
地址范围，如果启用该端口。
如果P0口和P2口被选择的外部存储器，所有8
端口0和端口2 ，以及P3.6和P3.7的位，是
专用于输出功能，并且可以不被用于
通用I / O 。在外部程序获取，
端口2输出的PC的高字节。
编程闪存
有四个部分闪存进行编程的：
1.配置128个字节。
2.复位扇区（4KB） （不要与2kB的混淆
引导ROM ） 。
3.程序存储器。
4.数据存储器。
引导ROM
有一个2kB的引导ROM ，在运行控制
串行或并行编程。此外，该引导ROM
例程可以在用户模式下被访问，如果它是
启用。启用后，引导ROM程序会
位于存储器地址F800H - FFFFh时期间用户
模式。在程序模式的引导ROM位于第一
2K字节程序存储器。有关更多信息，请参阅
应用笔记SBAA085 ，可以从下载
TI网站（ www.ti.com ） 。
在MSC1211 / 12 /13 / 14顷随闪存
擦除（全1 ） 。典型的并行编程方法
涉及第三方程序员。串口编程
方法通常涉及在系统编程。 UAM
允许代码程序和数据存储器的编程。
对Flash编程的实际代码无法执行
从Flash 。这些代码必须从引导ROM执行
或内部（冯诺依曼） RAM 。
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