飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
PBYR1045CTD系列
5
4
3
2
正向损耗， PF （ W） PBYR1045CTD
VO = 0.43 V
卢比= 0.034欧姆
0.5
0.2
0.1
TMB （最大值） / C
137.5
D = 1.0
132
146.5
100
反向电流IR （MA ）
PBYR645CT
10
125 C
100 C
1
I
t
p
D=
t
p
T
t
75 C
50 C
TJ = 25℃
141
155.5
1
T
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
平均正向电流IF （ AV ） （A ）
7
150
8
0.01
0
25
反向电压VR （V ）
50
图1 。最大正向功耗P
F
= F（我
F（ AV ）
）元
二极管;方电流波形，其中
I
F（ AV ）
=I
F（ RMS ）
x
√
D.
正向损耗， PF （ W） PBYR1045CTD TMB （最大值） / C
137.5
VO = 0.43 V
卢比= 0.034欧姆
a = 1.57
4
132
1.9
2.2
2.8
3
146.5
4
5
2
1
0
141
155.5
150
5
图4 。每个二极管的典型反向漏电流;
I
R
= F（V
R
） ;参数T
j
CD / PF
1000
PBYR645CT
100
10
0
1
2
3
4
平均正向电流IF （ AV ） （A ）
1
10
VR / V
100
图2 。最大正向功耗P
F
= F（我
F（ AV ）
）元
二极管;正弦电流波形，其中A =形式
系数= I
F（ RMS ）
/ I
F（ AV ）
.
BYV118
图5 。每二极管的典型结电容;
C
d
= F（V
R
） ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25℃至125℃ 。
20
正向电流IF （ A）
TJ = 25℃
TJ = 125℃
10
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
15
1
典型值
10
最大
5
0.1
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
0
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压VF （V ）
1.2
1.4
1us
10us
100us
1ms
10毫秒100毫秒
1s
脉冲宽度TP （多个）
BYV118
10s
如图3所示。典型和最大正向特性
I
F
= F（V
F
） ;参数T
j
图6 。瞬态热阻抗;每个二极管;
Z
日J- MB
= F （T
p
).
1998年7月
3
启1.200
