飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
PBYR745F ， PBYR745X系列
8
7
6
5
正向损耗， PF （ W）
VO = 0.42 V
卢比= 0.02欧姆
PBYR745X
三（最大值） / C
D = 1.0
106
111.5
100
反向电流IR （MA ）
PBYR745
125 C
0.5
0.2
0.1
I
t
p
D=
t
p
T
t
117
122.5
128
133.5
139
144.5
150
12
10
100 C
1
75 C
50 C
0.1
4
3
2
1
0
0
2
T
0.01
0
TJ = 25℃
25
反向电压VR （V ）
50
4
6
8
10
平均正向电流IF （ AV ） （A ）
图1 。最大正向功耗P
F
= F（我
F（ AV ）
);
方电流波形在哪里
F（ AV ）
=I
F（ RMS ）
x
√
D.
图4 。典型的反向漏电流;我
R
= F（V
R
);
参数T
j
8
7
6
5
4
3
2
1
0
正向损耗， PF （ W）
VO = 0.42 V
卢比= 0.02欧姆
PBYR745X
三（最大值） / C
106
111.5
a = 1.57
117
122.5
128
133.5
139
144.5
CD / PF
1000
PBYR745
2.8
4
2.2
1.9
100
0
1
2
3
4
5
6
平均正向电流IF （ AV ） （A ）
7
150
8
10
1
10
VR / V
100
图2 。最大正向功耗P
F
= F（我
F（ AV ）
);
正弦电流波形，其中A =形式
系数= I
F（ RMS ）
/ I
F（ AV ）
.
图5 。典型结电容;
d
= F（V
R
);
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25℃至125℃ 。
50
正向电流IF （ A）
TJ = 25℃
TJ = 125℃
PBYR745
10
瞬态热阻抗，第Z J- HS （K / W）
40
1
30
典型值
20
最大
10
T
0.1
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压VF （V ）
1.2
1.4
0.01
1us
10us
100us
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
脉冲宽度TP （多个）
PBYR745X
如图3所示。典型和最大正向特性
I
F
= F（V
F
） ;参数T
j
图6 。瞬态热阻抗;
日J- HS
= F （T
p
).
1998年7月
3
启1.200
