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HYS 72Dxx0xxGR - 7/8 -B
注册的DDR- SDRAM我模块
SPD码
BYTE #
描述
256MB 256MB 512MB 512MB 512MB 512MB 1GB
x72
x72
x72
x72
x72
x72
x72
1bank 1bank 1bank 1bank 2bank 2bank 2bank
-7
-8
-7
-8
-7
-8
-7
(十六进制)
(十六进制)
(十六进制)
(十六进制)
(十六进制)
(十六进制)
(十六进制)
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80
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0D
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0A
0B
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0A
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01
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48
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48
48
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82
82
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82
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0E
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C0
01
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01
02
26
C0
1GB
x72
2bank
-8
(十六进制)
80
08
07
0D
0B
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04
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80
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04
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0E
04
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02
26
C0
0
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28
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30
31
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33
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35
36-40
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42
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46-61
62
63
64
65-71
72
73-90
91-92
93-94
95-98
99-127
128-255
SPD的字节数
在串行PD总字节
内存类型
行地址数
列地址数
DIMM银行数量
模块数据宽度
模块数据宽度(续)
模块接口电平
SDRAM的周期时间在CL = 2.5
访问时间从时钟在CL = 2.5
DIMM配置
刷新率/类型
SDRAM宽度,主
错误检查SDRAM的数据宽度
最小时钟延时返回到回
随机列地址
突发长度支持
SDRAM银行数量
支持CAS潜伏期
CS潜伏期
WE潜伏期
SDRAM DIMM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
分钟。时钟周期的CAS延时= 2
访问时间从时钟为CL = 2
最小时钟周期时间在CL = 1.5
访问时间从时钟在CL = 1.5
最小行预充电时间
最小行法。到行法。延迟TRRD
最低RAS到CAS延迟的tRCD
最低RAS脉冲宽度tRAS的
模块库密度(每行)
地址。和命令设置时间
地址。和命令保持时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
超信息
最低核心周期时间tRC的
分钟。自动刷新Cmd的周期时间tRFC
最大时钟周期时间TCK
马克斯。 DQS -DQ歪斜TDQSQ
X因素TQHS
超信息
SPD修订
校验和字节0 - 62
制造商JEDEC ID代码
生产厂家
模块组装地点
模块部件号
模块版本代码
模块制造日期
模块序列号
–
开放供客户使用
128
256
DDR -SDRAM
13
10 / 11
1/2
x72
0
SSTL_2.5
为7ns /为8ns
0.75ns / 0.8ns
ECC
自刷新, 7.8ms
x8 / x4
na
TCCD = 1 CLK
2,4 & 8
4
CAS延时= 2 & 2.5
CS延迟= 0
写延时= 1
注册
同时汽车
预充电
7.5ns / 10ns的
0.75ns / 0.8ns
不支持
不支持
20ns
15ns
20ns
为45nS / 50ns的
256MByte / 512MByte
0.9ns / 1.1ns
0.9ns / 1.1ns
0.5ns的/ 0.6ns
0.5ns的/ 0.6ns
–
65ns / 70ns的
75ns / 80ns的
12ns
0.5ns的/ 0.6ns
0.75ns / 1.0ns
–
修订版0.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
75
A0
75
A0
75
A0
75
A0
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00
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00
00
00
00
00
00
00
00
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50
50
50
50
50
50
50
3C
3C
3C
3C
3C
3C
3C
3C
50
50
50
50
50
50
50
50
2D
32
2D
32
2D
32
2D
32
40
40
80
80
40
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80
80
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90
B0
90
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90
B0
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B0
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41
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4B
50
4B
50
4B
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30
30
30
30
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30
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3C
32
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A0
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CA
BF
03
F8
CB
C0
04
F9
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
INFI-
INFI-
INFI-
INFI-
INFI-
INFI-
INFI-
INFI-
NEON NEON NEON NEON NEON NEON NEON NEON
在网络连接霓虹灯技术
12
2002-09-10 (修订版0.91 )