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HYS 72Dxx0xxGR - 7/8 -B
注册的DDR- SDRAM我模块
电气特性&交流时序DDR -I组件
（仅供参考）
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C
;
V
DDQ
= 2.5V
±
0.2V; V
DD
= 2.5V
±
0.2V)
符号
t
AC
t
DQSCK
t
CH
t
CL
t
HP
t
CK
t
CK
t
DH
t
DS
t
IPW
t
DIPW
t
HZ
t
LZ
t
DQSS
t
DQSQ
t
QHS
t
QH
t
DQSL ，H
t
DSS
t
DSH
t
MRD
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
参数
从CK / CK DQ输出访问时间
从CK / CK DQS输出访问时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
时钟半周期
CL = 2.5
时钟周期时间
CL = 2.0
DDR266A
-7
民
0.75
0.75
DDR200
-8
民
0.8
0.8
单位
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1, 10
1-4,
11
1-4, 5
1-4, 5
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4, 7
1-4, 6
1-4
最大
+
0.75
+
0.75
最大
+
0.8
+
0.8
0.45
0.45
0.55
0.55
0.45
0.45
0.55
0.55
分钟（T
CL ，
t
CH ）
7
7.5
0.5
0.5
2.2
1.75
0.75
0.75
+
0.75
+
0.75
分钟（T
CL ，
t
CH ）
8
10
0.6
0.6
2.5
2
0.8
0.8
+
0.8
+
0.8
12
12
12
12
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间
控制和地址。输入脉冲宽度（每
INPUT）
DQ和DM输入脉冲宽度（每个输入）
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
从CK / CK数据输出低阻抗时间
写命令第一DQS闭锁过渡
DQS -DQ歪斜
（用于DQS &相关DQ信号）
数据保持倾斜因子
从DQS数据输出保持时间
DQS输入低（高）脉冲宽度（写周期）
DQS下降沿到CK建立时间（写
循环）
DQS下降沿持有CK时间（写
循环）
模式寄存器设置命令周期时间
写序言建立时间
写后同步
写序言
地址和控制
输入建立时间
地址和控制
输入保持时间
阅读序言
阅读后同步
至预充电命令
要积极主动/自动刷新命令期
快速压摆率
慢转换速率
快速压摆率
慢转换速率
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
0.75
1.25
+
0.5
0.75
1.25
+
0.6
+ 0.75
t
HP
-t
QHS
0.35
0.2
0.2
14
0
0.40
0.25
0.9
1.0
0.9
1.0
0.9
0.40
45
65
1.1
0.60
120,000
+ 1.0
t
HP
-t
QHS
0.35
0.2
0.2
16
0
0.60
0.40
0.25
1.1
1.1
1.1
1.1
0.9
0.40
50
70
0.60
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
2-4,
10,11
t
IH
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
t
RC
1.1
0.60
120,000
t
CK
t
CK
ns
ns
1-4
1-4
1-4
1-4
在网络连接霓虹灯技术
13
2002-09-10 （修订版0.91 ）
