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CY7C4421V/4201V/4211V/4221V
CY7C4231V/4241V/4251V
架构
该CY7C42X1V包括64一个数组的九个8K字
每个比特(由SRAM单元的双端口阵列中实现) ,
一个读指针,写指针,控制信号( RCLK , WCLK ,
REN1 , REN2 , WEN1 , WEN2 , RS ) ,和标志( EF , PAE , PAF ,
FF.)
写使能2 /加载( WEN2 / LD ) 。
这是一个双功能引脚。
FIFO被复位时配置有可编程的标志
或有两个写使能,其允许深度
扩展。如果写使能2 /加载( WEN2 / LD )设置为活动
至高电平( RS = LOW )时,此引脚用作第二写
使能引脚。
如果FIFO被配置为具有两个写使能,当写
启用( WEN1 )低和写使能2 /加载( WEN2 / LD )
是高电平时,数据可以被加载到输入寄存器和RAM
阵列上的每个写时钟的低到高的转变
( WCLK )的数据存储在RAM阵列顺序地和
独立于任何正在进行读操作。
复位FIFO
在上电时,在FIFO必须用复位来复位(RS)
周期。这使得FIFO进入空状态
由EF为低所指。所有数据输出(Q
0-8
)变低
t
RSF
经过RS的上升沿。为了在FIFO复位
到默认状态,下降沿必须发生在RS和
用户不能读取或写入,而RS为低。所有标志
保证有效吨
RSF
RS之后被拉低。
程序设计
当WEN2 / LD被复位过程中保持低电平时,该引脚为负载
( LD)使能标志抵消编程。在此配置中,
WEN2 / LD可以被用于访问4个8位的偏移寄存器
对于写入或读出的数据中包含的CY7C42X1V
这些寄存器。
当该设备被配置为可编程标志和
无论WEN2 / LD和WEN1低,头低到高
WCLK的过渡写入数据从数据输入到
空偏移最小显著位( LSB )寄存器。第二,
第三和第四低到高的WCLK存储数据的转换
在空荡荡的偏移最高有效位( MSB )寄存器,全
LSB失调寄存器和全偏移寄存器的MSB ,分别
当WEN2 / LD和WEN1低。第五低到高
WCLK的过渡,同时WEN2 / LD和WEN1是LOW
数据写入到空的LSB的重新注册。
图1
节目
该寄存器的尺寸和缺省值的各种设备
类型。
这是没有必要写入到所有的偏移量寄存器在同一时间。
的偏移寄存器的子集,可写的;然后,通过将
在WEN2 / LD输入高电平时, FIFO返回到正常的读
和写操作。下一次WEN2 / LD被拉低,
在接下来的写操作将数据存储偏移值寄存器中
序列。
的偏移寄存器中的内容可以被读取到数据
输出时, WEN2 / LD为低电平,既REN1和REN2
低。的RCLK读寄存器低到高的转变
内容发送到数据输出端。写入和读出不应该
在偏移寄存器同时进行。
FIFO操作
当WEN1信号为低电平有效, WEN2为高电平有效,
在D个数据本
0-8
销被写入到FIFO的每个
在WCLK信号的上升沿。类似地,当REN1和
REN2信号是低电平有效,在FIFO存储器中的数据将
在Q提交
0-8
输出。新的数据将提交
在RCLK的每个上升沿而REN1和REN2是
活跃的。 REN1和REN2必须建立吨
ENS
RCLK为前
是一个有效的读取功能。 WEN1和WEN2必须出现吨
ENS
WCLK之前,它是一个有效的写功能。
输出使能( OE )引脚提供给三态的Q
0-8
输出时, OE为有效。当OE启用(低) ,数据
在输出寄存器将提供给Q
0-8
吨后输出
OE
.
FIFO中包含溢出电路不允许附加
当写入FIFO满,和下溢电路不允许
另外,当读取FIFO为空。 FIFO为空
保持在其Q的最后一个有效读出的数据
0-8
输出
即使额外的读取发生。
写使能1 ( WEN1 ) 。
如果FIFO配置为编程
梅布尔标志,写使能1 ( WEN1 )是唯一的写使能
控制引脚。在这种配置中,当写使能1( WEN1 )
是LOW时,数据可以被加载到输入寄存器和RAM
阵列上的每个写时钟的低到高的转变
( WCLK ) 。被存储的数据RAM阵列的顺序和
独立于任何正在进行读操作。
文件编号: 38-06010修订版**
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