热工计算与测量
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输入
电容周期性采样。
TSIZ0 / REG ， TSIZ1 ， D（ 0:31 ） ， IRQ （ 2 ： 4 ） ， IRQ6 ， RD / WR ，连拍， IP_B （ 3 ： 7 ） ，PA （ 0:11 ） ， PA13 ， PA15 ， PB （ 14 ： 31） ，
PC （ 4:15 ） ， PD （ 3:15 ） ， PE （ 14:31 ） ， MII1_CRS ， MII_MDIO ， MII1_TXEN ， MII1_COL 。
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BDIP / GPL_B （ 5 ） ， BR ， BG ， FRZ / IRQ6 ， CS （ 0 ： 7 ） ， WE （ 0 ： 3 ） ， BS_A （ 0 ： 3 ） ， GPL_A0 / GPL_B0 ， OE / GPL_A1 / GPL_B1 ，
GPL_A （ 2:3） / GPL_B （ 2:3） / CS （2 ：3）， UPWAITA / GPL_A4 ， UPWAITB / GPL_B4 ， GPL_A5 ， ALE_A ， CE1_A ， CE2_A ，
OP （ 0 ： 3 ） BADDR （ 28:30 ）
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A(0:31),
7
热工计算与测量
记
在V
DDSYN
功率耗散可以忽略不计。
对于下面的讨论中，磷
D
= (V
DDL
×
I
DDL
） + PI / O ，其中PI / O的I / O驱动器的功耗。
7.1预测与结至环境热阻
芯片结温，T的估计
J
在℃，可从以下公式获得：
T
J
= T
A
+ (R
θJA
×
P
D
)
其中：
T
A
=环境温度下
R
θJA
=封装结点至环境热阻（°C / W）
P
D
=功率耗散封装
结点到环境的热阻是一个行业标准值，它提供一种快速简便的估算
热性能。然而，答案是唯一的一个估计值;测试例已经证明，一个因素的错误
两个（在数量
J
–T
A
）是可能的。
7.2预测与结到外壳热阻
从历史上看，热电阻常常被表示为一个结点到外壳的热阻之和
和外壳到环境的热阻：
R
θJA
= R
θJC
+ R
= CA
其中：
R
θJA
=结点至环境热阻（ ° C / W）
R
θJC
=结到外壳热阻（ ° C / W）
R
= CA
=外壳到环境的热阻（ ° C / W）
R
θJC
是设备相关的，并且不能由用户的影响。用户调节的热环境影响
外壳到环境的热阻，R
= CA
。例如，用户可以改变该装置周围的气流中，添加一
散热片，改变在所述印刷电路板上的安装装置，或改变它的热耗散的
印刷电路板的周边设备。该热模型是陶瓷封装与散热片最有用
其中约90 ％的热量流过的情况下和热沉到周围环境中。对于大多数
包，需要一个更好的模型。
MPC885 / MPC880硬件规格，第3版
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飞思卡尔半导体公司
